Ψεκάζοντας στόχοι 133OD*125ID*840L σωλήνων τιτανίου Gr1 κενού επιστρώματος

Τιτάνιο Gr1 ASTM B861-06 στόχων σωλήνων τιτανίου μια επιμετάλλωση στόχων κενού επιστρώματος 133OD*125ID*840L

Η τάση ανάπτυξης τεχνολογίας υλικών του υλικού στόχων είναι στενά συνδεδεμένη με την τάση ανάπτυξης τεχνολογίας λεπτών ταινιών της προς τα κάτω βιομηχανίας εφαρμογής, μαζί με την εφαρμογή της τεχνικής βελτίωσης βιομηχανίας στα προϊόντα ταινιών ή τα συστατικά, η τεχνολογία του στόχου πρέπει να αλλάξουν επίσης, για να αντικαταστήσουν πολύ την αρχική επίπεδη οθόνη (FPD) τα τελευταία χρόνια, η οποία αποτελείται κυρίως από τα όργανα ελέγχου υπολογιστών σωλήνων ακτίνων καθόδων (CRT) και τηλεοπτική την αγορά. Επίσης πολύ θα αυξήσει τη ζήτηση τεχνολογίας και στην αγορά του υλικού στόχων ITO. Εκτός από την τεχνολογία αποθήκευσης. Η ζήτηση για την υψηλή πυκνότητα, τους large-capacity σκληρούς δίσκους και τους εξαλείψιμους δίσκους υψηλής πυκνότητας συνεχίζει να αυξάνεται. Όλοι αυτοί οδηγούν στην αλλαγή της απαίτησης της βιομηχανίας εφαρμογής για τα υλικά στόχων. Κατωτέρω θα εισαγάγουμε τους κύριους τομείς εφαρμογής των υλικών στόχων και την τάση ανάπτυξης των υλικών στόχων σε αυτούς τους τομείς αντίστοιχα.
Μεταξύ όλων των βιομηχανιών εφαρμογής, η βιομηχανία ημιαγωγών έχει τις πιό αυστηρές ποιοτικές απαιτήσεις για τις ψεκάζοντας ταινίες στόχων. Σήμερα, τα τσιπ σιλικόνης 12 ιντσών (300 epistaxis) έχουν γίνει. Διασυνδέει συρρικνώνεται στο πλάτος. Οι κατασκευαστές γκοφρετών απαιτούν το μεγάλο μέγεθος, την υψηλή αγνότητα, το χαμηλό διαχωρισμό και το λεπτό σιτάρι, το οποίο απαιτεί την καλύτερη μικροδομή του κατασκευασμένου στόχου. Η διάμετρος μορίων κρυστάλλου και η ομοιομορφία του υλικού στόχων έχουν θεωρηθεί ως παράγοντες κλειδί που έχουν επιπτώσεις στο ποσοστό απόθεσης λεπτών ταινιών. Επιπλέον, η αγνότητα της ταινίας συσχετίζεται πολύ με την αγνότητα του υλικού στόχων. Στο παρελθόν, η αγνότητα του στόχου χαλκού 99,995% (4N5) μπορεί να είναι σε θέση να καλύψει τις απαιτήσεις της διαδικασίας 0.35pm των κατασκευαστών ημιαγωγών, αλλά δεν μπορεί να καλύψει τις απαιτήσεις της διαδικασίας 0.25um, και 0.18um και ούτε 0,13 διαδικασία μ. Η αγνότητα του υλικού στόχων που απαιτείται θα είναι επάνω από 5 ή ακόμα και 6 Ν. Compared με το αλουμίνιο, ο χαλκός έχει την υψηλότερη αντίσταση στην ηλεκτρική μετανάστευση και η χαμηλότερη ειδική αντίσταση, μπορεί να συναντηθεί! Η διαδικασία αγωγών απαιτείται για submicron την καλωδίωση κάτω από 0.25um, αλλά φέρνει με το άλλα προβλήματα: χαμηλή δύναμη προσκόλλησης του χαλκού στα οργανικά διηλεκτρικά υλικά. Επιπλέον, είναι εύκολο να αντιδράσει, το οποίο οδηγεί στη διάβρωση και η αποσύνδεση του χαλκού διασυνδέει στο στάδιο της χρήσης. Για να λύσει αυτά τα προβλήματα, ένα στρώμα εμποδίων πρέπει να τοποθετηθεί μεταξύ του χαλκού και του διηλεκτρικού στρώματος. Το υλικό εμποδίων χρησιμοποιεί γενικά τα μέταλλα και τις ενώσεις με το υψηλό σημείο τήξης και την υψηλή ειδική αντίσταση, έτσι το πάχος στρώματος εμποδίων πρέπει για να είναι λιγότερο από 50 NM, και η εκτέλεση προσκόλλησης με το χαλκό και τα διηλεκτρικά υλικά είναι καλή. Τα υλικά εμποδίων για το χαλκό διασυνδέουν και το αλουμίνιο διασυνδέει είναι διαφορετικό. Τα νέα υλικά στόχων πρέπει να αναπτυχθούν. Το υλικό στόχων για το χαλκό διασυνδέει το στρώμα εμποδίων περιλαμβάνει το TA, το W, TaSi, WSi, κ.λπ. Αλλά το TA και το W είναι πυρίμαχα μέταλλα. Είναι σχετικά δύσκολο να κάνει, και το μολυβδαίνιο, το χρώμιο και άλλος χρυσός μελετώνται ως εναλλακτικό υλικό.

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

1. Χαμηλή πυκνότητα και υψηλής αντοχής
2. Προσαρμοσμένος σύμφωνα με τα σχέδια που απαιτούνται από τους πελάτες
3. Ισχυρή αντίσταση διάβρωσης
4. Ισχυρή αντίσταση θερμότητας
5. Αντίσταση χαμηλής θερμοκρασίας
6. Αντίσταση θερμότητας